별표 6 신성장ㆍ원천기술을 사업화하는 시설(제12조의2제1항 관련)

■ 조세특례제한법 시행규칙 [별표 6] 신성장ㆍ원천기술을 사업화하는 시설(제12조의2제1항 관련) ┌──────────────────┬─────────────────────────┐ │영 별표 7의 기술 │사업화 시설 │ ├───┬─────┬────────┤ │ │구분 │분야 │신성장ㆍ │ │ │ │ │원천기술 │ │ ├───┼─────┴────────┴─────────────────────────┤ │1. 미 │가. 삭제 │ │래형 ├─────┬──────────────────────────────────┤ │자동 │나. 전기 │ 1) 삭제 │ │차 │구동 ├──────────────────────────────────┤ │ │차 │ 2) 삭제 │ │ │ ├────────┬─────────────────────────┤ │ │ │ 3) 전기차 초 │전기구동방식 자동차와 관련하여 감전위험이 없 │ │ │ │고속ㆍ고효 │는 비접촉 무선 전력전송 방식(자기유도, 자기 │ │ │ │율 무선충전 │공명, 전자기파)으로 배터리를 충전하기 위한 │ │ │ │기술 │전력 전송효율 90% 이상의 초고속 고효율 무 │ │ │ │ │선충전시스템 및 무선충전 핵심모듈(급전 인버 │ │ │ │ │터, 집전 픽업구조, 레귤레이터)을 제작하는 시 │ │ │ │ │설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 4) 초고효율 │하이브리드자동차(HEV)의 연비 향상, 배출가스 │ │ │ │하이브리드 │감축 등을 위해 엔진 열효율(공급된 연료에너지 │ │ │ │시스템 기술 │에 대해 출력되는 유효일의 비를 말한다)을 │ │ │ │ │45% 이상으로 구현하기 위한 하이브리드 구동 │ │ │ │ │시스템을 설계ㆍ제조하는 시설 │ ├───┼─────┼────────┼─────────────────────────┤ │2. 지 │가. 인공 │ 인지컴퓨팅 기 │인공지능 알고리즘(algorithm) 처리가 용이하도록 │ │능정 │지능 │술 │초고성능 연산 플랫폼(Platform)을 제공하는 컴퓨 │ │보 │ │ │터 하드웨어를 제조하는 시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │마. 착용 │ 1) 신체 부착형 │스마트 착용형기기(wearable device)에 사용되는 │ │ │형스 │전자회로의 │신체 부착형 전자회로의 유연기판을 제작하는 시설 │ │ │마트 │유연기판 제 │ │ │ │기기 │작기술 및 유 │ │ │ │ │연회로 인쇄 │ │ │ │ │기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 2) 유연한 양ㆍ │20퍼센트 이상의 변형 시에도 기계적ㆍ전기화학적 │ │ │ │음극 소재 및 │신뢰성 확보가 가능하며 100㎛ 후박급의 착용형기 │ │ │ │전극 설계ㆍ │기(wearable device)에 전원용으로 사용되는 유연 │ │ │ │제조기술 │한(flexible) 양ㆍ음극 소재 및 해당 전극을 제조하 │ │ │ │ │는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 3) 섬유기반 유 │유연 성능이 4.5gㆍ㎠/㎝이상으로 변형에 대한 형 │ │ │ │연전원 │태 안정성이 우수한 유연전원(fabric based │ │ │ │(fabric │flexible battery)으로서, 에너지 밀도가 │ │ │ │based │100Wh/kg 이상으로 고효율ㆍ고수명의 성능을 가 │ │ │ │flexible │진 섬유기반 유연전원을 제조하는 시설 │ │ │ │battery) 제 │ │ │ │ │조 기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 4) 전투기능 통 │군사 및 경찰 작전 등의 특수 임무를 수행하는 데 │ │ │ │합형 작전용 │필요한 극한기능과 신호전송기능 및 신체보호기능 │ │ │ │첨단디지털 │을 갖춘 총체적 디지털 기능 전투복을 제조하는 시설 │ │ │ │의류기술 │ │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │바. IT │ 1) 지능형 전자 │IMO(International Maritime Organization, 국제 │ │ │융합 │항해 기술 │해사기구)의 e-Navigation 구현을 목적으로 장소 │ │ │ │ │에 구애받지 않고 4S(ship to ship, ship to shore, │ │ │ │ │shore to ship, shore to shore) 통신을 구현하는 │ │ │ │ │통신단말장치를 제작하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 2) 지능형 기계 │생산설비의 품질(상태)정보 및 공정조건을 실시간 │ │ │ │및 자율협업 │으로 분석하여 최적의 작업상태를 제공할 수 있는 │ │ │ │기술 │진단ㆍ처방정보를 바탕으로 생산설비를 원격으로 │ │ │ │ │제어하는 개방형 제어기(controller), │ │ │ │ │M2M(Machine to Machine, Machine to Man, │ │ │ │ │기계 간의 통신 및 인간이 작동하는 기계와의 통신) │ │ │ │ │디바이스(device) 및 개방형 컨트롤러 디바이스를 │ │ │ │ │탑재하여 자동으로 상태감시ㆍ진단ㆍ제어기능을 │ │ │ │ │하는 지능형 기계를 제조하는 시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │아. 양자 │ 양자컴퓨터 제 │양자 정보를 처리할 수 있는 메모리(큐비트, Qubit) │ │ │컴퓨 │작 및 활용 기술 │를 구현하고, 큐비트간 연산처리가 가능한 장치를 │ │ │터 │ │제조하는 시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │자. 스마 │ 지능형 콜드체 │화물의 운송 과정에서 온도, 습도, 충격 등의 상 │ │ │트 물 │인 모니터링 │태 데이터를 정보수집 장치를 통해 수집 및 저 │ │ │류 │기술 │장하고, 이를 국제표준 ISO 27017에 따라 보 │ │ │ │ │안성이 검증된 클라우드 서버로 전송하여 단위 │ │ │ │ │화물 정보와 연동하고 이를 소프트웨어 상에서 │ │ │ │ │모니터링하는 장치를 제조하는 시설 │ ├───┼─────┼────────┼─────────────────────────┤ │5. 차 │가. 지능 │ 1) SoC 파운 │SoC(System on Chip) 반도체 파운드리 │ │세대 │형 반 │드리 제조, │(Foundry) 장비를 제작하는 시설 및 파운드리 │ │전자 │도체 │후공정 및 │분야의 7nm 이하급 제조 시설 │ │정보 │ㆍ센 │장비 제작 │ │ │디바 │서 │기술 │ │ │이스 │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 2) 차세대 메 │기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플래 │ │ │ │모리반도체 │시메모리(Nand Flash Memory)의 장점을 조 │ │ │ │제조기술과 │합한 STT-MRAM(Spin Transfer │ │ │ │소재ㆍ장비 │Torque-Magnetic Random Access │ │ │ │및 장비부품 │Memory), PRAM(Phase-change Random │ │ │ │의 설계ㆍ제 │Access Memory), ReRAM(Resistive │ │ │ │조 기술 │Random Access Memory) 등 차세대 메모리 │ │ │ │ │반도체 제조 시설 및 이와 관련된 소재ㆍ장비 │ │ │ │ │및 장비부품을 제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 3) 지능형 마 │물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 │ │ │ │이크로 센서 │얻는 감지부와 논리ㆍ판단ㆍ통신기능을 갖춘 지 │ │ │ │기술 │능화된 신호처리 집적회로가 결합된 소자로서 │ │ │ │ │나노기술, MEMS[Micro Electro Mechanical │ │ │ │ │System, 기계부품ㆍ센서(sensor)ㆍ액츄에이터 │ │ │ │ │(actuator) 및 전자회로를 하나의 기판 위에 │ │ │ │ │집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8㎛이하 CMOS │ │ │ │ │이미지센서 기술 또는 SoC(System on Chip) │ │ │ │ │기술이 결합된 초소형 고성능 센서를 제조하는 │ │ │ │ │시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 4) 차량용 반 │자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262, 자동 │ │ │ │도체 설계ㆍ │차용 반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을 │ │ │ │제조기술 │만족하는 MCU(Micro Controller Unit), │ │ │ │ │ECU(Electronic Control Unit), 파워IC, SOC, │ │ │ │ │하이브리드/전기차 및 자율주행용 IC 반도체를 │ │ │ │ │제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 5) 에너지효율 │실리콘 기반의 MOSFET(MOS Field-Effect │ │ │ │향상 반도체 │Transistor)에 비해 저저항ㆍ고효율 특성을 지 │ │ │ │설계ㆍ제조 │니며 차세대 응용 분야(전기차, 하이브리드카, │ │ │ │기술 │태양광, 풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리 │ │ │ │ │드 등) 인버터 등에 탑재되는 SJ(Super │ │ │ │ │Junction) MOSFET, IGBT(Insulated Gate │ │ │ │ │Bipolar Transistor), SiC(Silicon Carbide) │ │ │ │ │MOSFET을 제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 6) 에너지효율 │실리콘 기반의 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 │ │ │ │향상 전력 │차세대 응용 분야(5G, 전기차, 하이브리드카, │ │ │ │반도체 │태양광, 풍력발전 등 신재생에너지, 스마트그리 │ │ │ │BCDMOS │드 등)에 탑재되는 아날로그, 디지털 로직, 파워 │ │ │ │설계ㆍ제조 │소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절전 전력반도체 │ │ │ │기술 │0.13?m 이하 BCDMOS(Bipolar │ │ │ │ │/Complementary/Double-diffused │ │ │ │ │metal-oxide-semiconductor) 설계 및 제조를 │ │ │ │ │위한 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 7) 웨이퍼레벨 │LED 칩을 미세 패턴이 가공된 열전도성이 높 │ │ │ │칩 패키징 │은 웨이퍼 위에서 일련의 공정을 통해 패키징한 │ │ │ │공정기술 │후 다이싱(dicing)하여 칩 패키지를 제조하는 │ │ │ │ │시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │나. 반도 │ 1) 포토레지스 │반도체 및 디스플레이용 회로형성에 필요한 리 │ │ │체 등 │트 개발 및 │소그래피(lithography)용 수지로서 회로의 내열 │ │ │소재 │제조기술 │성, 전기적 특성, 현상(Developing) 특성을 좌우 │ │ │ㆍ부 │ │하는 Photoresist 및 관련 소재를 제조하는 시 │ │ │품 │ │설 [ArF(불화아르곤) 광원용 및 EUV(극자외 │ │ │ │ │선) 광원용] │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 2) 원자층증착 │기존의 이산화규소(SiO2)보다 우수한 유전특성 │ │ │ │법(ALD) 및 │을 갖는 박막제조를 위해 증착공정[ALD( │ │ │ │화학증착법 │Atomic Layer Deposition), CVD(Chemical │ │ │ │(CVD)을 위 │Vapor Deposition)]에 사용되는 전구체(금속을 │ │ │ │한 고유전체 │포함하고 있는 용액)를 제조하는 시설 │ │ │ │(High-k │ │ │ │ │dielectric) │ │ │ │ │용 전구체 │ │ │ │ │개발 기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 3) 고순도 불 │반도체 회로형성에 필요한 순도 99.999%(5N) │ │ │ │화수소 개발 │이상의 고순도 불화수소를 제조하는 시설 │ │ │ │및 제조기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 4) 블랭크 마 │ArF(불화아르곤) 광원 및 EUV(극자외선) 광 │ │ │ │스크(Blank │원을 이용하여 반도체 회로를 형성하는 데 사용 │ │ │ │Mask) 개발 │되는 블랭크마스크 원판 및 관련 소재[펠리클 │ │ │ │및 제조기술 │(Pellicle), 합성 쿼츠, 스터러링용 타겟 등을 │ │ │ │ │포함]를 제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 5) 반도체용 │14nm 이하급 D램(DRAM)과 170단 이상 낸드 │ │ │ │기판 개발 및 │플래시 메모리 및 에피텍셜 반도체용 기판을 제 │ │ │ │제조기술 │조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 6) 첨단 메모 │14nm 이하급 D램(DRAM)과 170단 이상 낸드 │ │ │ │리반도체 장 │플래시메모리 양산을 위한 장비ㆍ장비부품을 제 │ │ │ │비 및 장비 │조하는 시설 │ │ │ │부품의 설계 │ │ │ │ │ㆍ제조 기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 7) 고기능성 │질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 막질의 선택 │ │ │ │인산 제조 │적인 식각이 가능한 고선택비(1,000이상) 인산 │ │ │ │기술 │계 식각액 제조시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 8) 고순도 석 │반도체 웨이퍼 제조용 용융 실리콘의 오염을 │ │ │ │영(쿼츠) 도 │막기 위한 도가니 형태의 순도 99.999%(5N) │ │ │ │가니 제조 │이상의 고순도 석영 용기(Quartz Crucible) 제 │ │ │ │기술 │조 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 9) 코트막형성 │완성된 반도체 소자의 표면을 외부환경으로부터 │ │ │ │재 개발 및 │보호하기 위해 사용하는 절연성을 가진 고감도 │ │ │ │제조 기술 │(80mJ/㎠ 이하) 감광성 코팅 기술 또는 패키징 │ │ │ │ │재배선(배선폭 7㎛ 이하) 형성 재료를 제조하 │ │ │ │ │는 시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │다. 유기 │ 1) 9인치 이 │저온폴리실리콘(LTPS) 또는 산화물(Oxide) │ │ │발광 │상 능동형 유 │TFT(전자이동도 8㎠/Vs 이상) 기판 상에 진공 │ │ │다이 │기발광 다이오 │증발 증착 또는 프린팅 방식으로 고화질(고해상 │ │ │오드 │드 │도, 고색재현, 고균일, HRD)을 구현한 대화면 │ │ │(OLE │(AMOLED) │(9인치 이상) AMOLED(Active Matrix │ │ │D: │패널ㆍ부품ㆍ │Organic Light Emitting Diode) 패널을 제조 │ │ │Orga │소재ㆍ장비 제 │하기 위한 시설(모듈조립 공정기술은 제외한다) │ │ │nic │조 기술 │과 AMOLED 패널을 제조하기 위한 부품ㆍ소재 │ │ │Light │ │ㆍ장비를 제조하는 시설 │ │ │Emitt ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ing │ 2) 대기압 플 │디스플레이를 제조할 목적으로 대기압에서 플라 │ │ │Diod │라즈마 식각 │즈마(plasma)를 발생시켜 박막을 식각하는 장 │ │ │e) 등 │장비 기술 │비를 제조하는 시설 │ │ │고기 ├────────┼─────────────────────────┤ │ │능 디 │ 3) 플렉서블 │플렉서블 디스플레이(유연성 또는 유연한 성질 │ │ │스플 │디스플레이 패 │을 가지는 디스플레이로, 깨지지 않고 휘거나 │ │ │레이 │널ㆍ부품ㆍ소 │말 수 있고 접을 수 있는 특성을 지닌 것을 말 │ │ │ │재ㆍ장비 제조 │한다. 이하 같다)를 제조하는 시설 및 이를 제 │ │ │ │기술 │조하기 위해 공정별로 사용되는 부품ㆍ소재ㆍ장 │ │ │ │ │비를 제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 4) 차세대 차 │굴곡된 형상으로 제조 가능하고, 동작온도 -3 │ │ │ │량용 디스플레 │0℃∼95℃, 시인성 black uniformity 60% 이 │ │ │ │이 패널ㆍ부품 │상을 만족하는 다결정 저온 폴리실리콘 │ │ │ │ㆍ소재ㆍ장비 │(LTPS-LCD) 패널 및 이와 관련한 부품ㆍ소 │ │ │ │제조기술 │재 및 장비를 제조하는 시설 │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 5) 마이크로 │실리콘(Silicon) 또는 사파이어(Sapphire) 기판 │ │ │ │LED 디스플 │에 저결함 에피공정을 적용한 100㎛ 이하의 자 │ │ │ │레이 패널ㆍ │발광 R/G/B 마이크로 LED 칩과 이를 이용한 │ │ │ │부품ㆍ소재 │픽셀ㆍ패널 및 이와 관련한 부품ㆍ소재 및 장비 │ │ │ │ㆍ장비 제조 │를 제조하는 시설 │ │ │ │기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 6) VRㆍARㆍ │가상현실, 증강현실, 혼합현실 기기에 사용되는 │ │ │ │MR용 디스 │초고해상도(1,500ppi 이상) 디스플레이를 제조 │ │ │ │플레이 패널 │하기 위해 공정별로 사용되는 기술과 이와 관련 │ │ │ │ㆍ부품ㆍ소 │한 부품ㆍ소재 및 장비를 제조하는 시설 │ │ │ │재ㆍ장비 제 │ │ │ │ │조 기술 │ │ │ │ ├────────┼─────────────────────────┤ │ │ │ 7) 친환경 QD │적은 소비전력으로 고색재현 및 화학적ㆍ열적 │ │ │ │(Quantum │안정성 개선이 가능한 QD 나노 소재 적용 디스 │ │ │ │Dot) 나노 │플레이를 제조하기 위해 공정별로 사용되는 기 │ │ │ │소재 적용 │술을 적용한 시설과 이와 관련한 부품ㆍ소재 및 │ │ │ │디스플레이 │장비를 제조하는 시설 │ │ │ │패널ㆍ부품 │ │ │ │ │ㆍ소재ㆍ장 │ │ │ │ │비 제조 기 │ │ │ │ │술 │ │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │라. 3D │ 3D프린팅 소 │3차원 디지털 설계도에 따라 액체수지, 금속분 │ │ │프린 │재개발 및 장 │말 등 다양한 형태의 재료를 적층하여 제품을 │ │ │팅 │비제조기술 │생산하는 데 사용되는 소재 및 장비를 제조하는 │ │ │ │ │시설 │ │ ├─────┼────────┼─────────────────────────┤ │ │마. AR │ AR 디바이스 │실제의 이미지나 배경에 유의미한 상황 정보를 │ │ │디바 │제조기술 │기반으로 한 영상ㆍ텍스트ㆍ소리 등의 가상정보 │ │ │이스 │ │를 나타내어 사용자의 경험이 증강되고 현실세 │ (이하 생략 — 전체 별표는 법제처 원문 참조)