별표 6의2 국가전략기술을 사업화하는 시설(제12조의2제2항 및 제3항 관련)

■ 조세특례제한법 시행규칙 [별표 6의2] 국가전략기술을 사업화하는 시설(제12조의2제2항 및 제3항 관련) ┌─────────────────┬──────────────────────────┐ │영 별표 7의2의 기술 │사업화 시설 │ ├────────┬────────┤ │ │분야 │국가전략기술 │ │ ├────────┼────────┼──────────────────────────┤ │반도체 │가. 첨단 메모 │16nm 이하급 D램 및 128단 이상 낸드플래시 메모리 │ │ │리 반도체 │제조 시설 │ │ │설계ㆍ제조 │ │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │나. 차세대 메 │기존 메모리반도체인 D램(DRAM)과 낸드 플래시메모리 │ │ │모리반도체 │(Nand Flash Memory)의 장점을 조합한 STT-MRAM(Spin │ │ │(STT-MRAM, │Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory), │ │ │PRAM, │PRAM(Phase-change Random Access Memory), │ │ │ReRAM, PIM, │ReRAM(Resistive Random Access Memory), 초거대 AI │ │ │HBM, LLC, │응용을 위해 CPU와 메모리 간의 병목현상 해결을 목 │ │ │CXL, SOM) │적으로 메모리반도체에 전용 AI 프로세서를 추가한 │ │ │설계ㆍ제조 │메모리시스템인 PIM(Processing In Memory), │ │ │기술 │HBM(High Bandwidth Memory), LLC(Last Level │ │ │ │Cache), CXL(Compute eXpress Link), SOM(Selector │ │ │ │Only Memory) 등 차세대 메모리반도체 제조 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │다. 차세대 디 │IoT, 착용형 스마트 단말기기, 가전, 의료기기 및 핸 │ │ │지털기기 │드폰 등 차세대 디지털 기기 SoC의 주파수 조정 기능 │ │ │SoC 설계ㆍ │반도체(RF switch 등 RF반도체), 디지털ㆍ아날로그 │ │ │제조기술 │신호의 데이터 변환 반도체(인버터/컨버터, Mixed │ │ │ │signal 반도체 등), 메모리반도체와의 원칩화를 통한 │ │ │ │컨트롤 IC(eNVM) 및 IoT 지능형 서비스를 적용하기 │ │ │ │위한 지능정보 및 데이터의 처리가 가능한 IoT?웨어 │ │ │ │러블 SoC(System on Chip)의 제조 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │라. 고성능 마 │물리적ㆍ화학적인 아날로그(analogue) 정보를 얻는 │ │ │이크로 센서 │감지부와 논리ㆍ판단ㆍ통신기능을 갖춘 지능화된 신 │ │ │의 설계?제조 │호처리 집적회로가 결합된 소자로서 나노기술, │ │ │?패키징 기술 │MEMS[Micro Electro Mechanical System, 기계부품ㆍ │ │ │ │센서(sensor)ㆍ액츄에이터(actuator) 및 전자회로를 │ │ │ │하나의 기판 위에 집적화)] 기술, 바이오 기술, 0.8 │ │ │ │㎛이하 CMOS 이미지센서 기술 또는 SoC(System on │ │ │ │Chip) 기술이 결합된 고성능 센서 및 칩 패키지를 제 │ │ │ │조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │마. 차량용 반 │자동차 기능안전성 국제표준 ISO26262 및 자동차용 │ │ │도체 설계ㆍ │반도체 신뢰성 시험규격 AEC-Q100을 만족하는 │ │ │제조기술 │MCU(Micro controller unit), ECU(Electronic │ │ │ │control unit), 파워IC, SoC, 전기자동차, 하이브리 │ │ │ │드자동차 및 자율주행용 IC 반도체의 제조 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │바. 에너지효율 │저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 응용 분야(전 │ │ │향상 반도체 │기자동차, 하이브리드자동차, 태양광/풍력발전 등 신 │ │ │설계ㆍ제조 │재생에너지, 스마트그리드 등) 에 탑재되는 실리콘 │ │ │ㆍ패키징 기 │기반의 에너지효율향상 반도체[SJ(Super Junction) │ │ │술 │MOSFET, IGBT], 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기반의 에 │ │ │ │너지효율향상 반도체(MOSFET, IGBT) 및 모듈의 제조 │ │ │ │ㆍ패키징 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │사. 에너지효율 │실리콘 기반의 저저항ㆍ고효율 특성을 지니며 차세대 │ │ │향상 전력반 │응용 분야(5G, 전기자동차, 하이브리드자동차, 차세 │ │ │도체(BCDMOS, │대 디지털기기용 디스플레이, 태양광, 풍력발전 등 │ │ │UHV, 고전압 │신재생에너지, 스마트그리드 등)에 탑재되는 아날로 │ │ │아날로그IC) │그, 디지털 로직, 파워소자를 원칩화한 초소형ㆍ초절 │ │ │설계ㆍ제조기 │전 전력반도체(0.35㎛이하 BCDMOS, 800V 이상 UHV, │ │ │술(0.35㎛이 │12V 이상 고전압 아날로그 IC) 제조 시설 │ │ │하) │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │아. 차세대 디 │화면에 문자나 영상 이미지 등이 표시되도록 차세대 │ │ │지털기기ㆍ │디지털기기 및 차량의 디스플레이(OLED, Flexible, │ │ │차량용 디스 │퀀텀닷, 롤러블, 폴더블, 마이크로LED, Mini LED, 4K │ │ │플레이 반도 │ㆍ120Hz급 이상 고해상도 LCD 등)에 구동 신호 및 데 │ │ │체 설계ㆍ제 │이터를 전기신호로 제공하는 반도체(DDI), 디스플레 │ │ │조기술 │이 패널의 영상 정보를 변환ㆍ조정하는 것을 주기능 │ │ │ │으로 하는 반도체(T-Con), 디스플레이용 반도체와 패 │ │ │ │널에 필요한 전원전압을 생성ㆍ제어하는 반도체 │ │ │ │(PMIC)를 제조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │자. SoC 반도체 │SoC(System on Chip) 반도체 개발?양산을 위한 핵심 │ │ │개발?양산 위 │기반기술로 파운드리(Foundry) 분야의 7nm 이하급 제 │ │ │한 파운드리 │조 시설 │ │ │분야 7nm 이 │ │ │ │하급 제조공 │ │ │ │정 및 공정 │ │ │ │설계기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │차. WLP, PLP, │반도체 패키징 기술(WLP, PLP, SiP, 플립칩 등)을 활 │ │ │SiP, 플립칩 │용한 2D/2.5D/3D 패키징 공정기술?테스트 및 패키징? │ │ │기술 등을 │테스트 관련 소재, 부품, 장비 제조 시설 │ │ │활용한 │ │ │ │2D/2.5D/3D │ │ │ │패키징 공정 │ │ │ │기술 및 패 │ │ │ │키징 관련 │ │ │ │소재?부품?장 │ │ │ │비설계?제조 │ │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │카. 반도체용 │16nm 이하급 D램과 128단 이상 낸드플래시메모리, │ │ │실리콘 기판 │7nm 이하급 파운드리 SoC, 에피텍셜 반도체용의 실리 │ │ │및 화합물 │콘 기판 및 화합물(SiC, GaN, Ga2O3) 기판을 제조하 │ │ │기판 개발 │는 시설 │ │ │및 제조기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │타. 첨단 메모 │첨단 메모리반도체(16nm급 이하 D램 및 128단 이상 │ │ │리반도체 및 │낸드플래시메모리), 차세대 메모리반도체(STT-MRAM, │ │ │차세대 메모 │PRAM, ReRAM, PIM, HBM, LLC, CXL, SOM) 및 SoC 반도 │ │ │리반도체, │체 파운드리의 소재, 장비 및 부품 제조 시설 │ │ │SoC 반도체 │ │ │ │파운드리 소 │ │ │ │재ㆍ장비ㆍ │ │ │ │장비부품 설 │ │ │ │계ㆍ제조기 │ │ │ │술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │파. 포토레지스 │반도체 및 디스플레이용 회로형성에 필요한 리소그래 │ │ │트 │피(lithography)용 수지로서 회로의 내열성, 전기적 │ │ │(Photoresis │특성, 현상(Developing) 특성을 좌우하는 포토레지스 │ │ │t) 개발 및 │트 및 관련 소재를 제조하는 시설 [ArF(불화아르곤) │ │ │제조기술 │광원용 및 EUV(극자외선) 광원용] │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │하. 원자층증착 │기존의 이산화규소(SiO2)보다 우수한 유전특성을 갖 │ │ │법 및 화학 │는 high-k dielectric 박막 증착을 위한 원자층증착 │ │ │증착법을 위 │법(ALD, Atomic Layer Deposition) 및 화학증착법 │ │ │한 고유전체 │(CVD, Chemical Vapor Deposition)공정에 사용되는 │ │ │용 전구체 │전구체를 제조하는 시설 │ │ │개발 기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │거. 고순도 불 │반도체 회로형성에 필요한 순도 99.999%(5N) 이상의 │ │ │화수소 개발 │고순도 불화수소를 제조하는 시설 │ │ │및 제조기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │너. 블랭크 마 │ArF(불화아르곤) 광원 및 EUV(극자외선) 광원을 이용 │ │ │스크 개발 │하여 반도체 회로를 형성하는 데 사용되는 블랭크마 │ │ │및 제조기술 │스크 원판 및 관련 소재[펠리클(Pellicle), 합성 쿼 │ │ │ │츠, 스터러링용 타겟 등을 포함]를 제조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │더. 고기능성 │SiNx, SiOx 막질의 선택적인 식각이 가능한 고선택비 │ │ │인산 제조 │(1,000 이상) 인산계 식각액 제조 시설 │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │러. 고순도 석 │반도체 웨이퍼 제조용 용융 실리콘의 오염을 막기 위 │ │ │영(쿼츠) 도 │한 도가니 형태의 순도 99.999%(5N) 이상의 고순도 │ │ │가니 제조 │석영 용기 제조 시설 │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │머. 코트막형성 │완성된 반도체 소자의 표면을 외부환경으로부터 보호 │ │ │재 개발 및 │하기 위해 사용하는 절연성을 가진 고감도(80mJ/㎠ │ │ │제조기술 │이하) 감광성 코팅 기술 또는 패키징 재배선(배선폭 │ │ │ │7㎛ 이하) 형성 재료 제조 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │버. 고성능ㆍ고 │1) 동작속도 250MHz 이상의 SoC(System on Chip) 반 │ │ │효율 시스템 │도체, 6GHz 이상의 주파수를 지원하는 RF(Radio │ │ │반도체의 테 │Frequency) 반도체, AEC-Q100을 만족하는 차량용 │ │ │스트 기술 │반도체, 4,800만화소 이상의 모바일용 CMOS 이미지 │ │ │및 테스트 │센서, 내전압 1,000V 이상의 전력반도체, 소스채널 │ │ │관련 장비, │900개 이상의 OLED용 DDI(Display Driver IC)의 양 │ │ │부품 설계ㆍ │ㆍ불량 여부를 전기적 특성검사를 통해 판단할 수 │ │ │제조기술 │있는 테스트 시설 │ │ │ │ │ │ │ │2) 1)에 따른 테스트에 사용되는 최대 검사속도 │ │ │ │500Mbps 이상의 주검사장비, 접촉정확도 1㎛ 이하 │ │ │ │의 프로브스테이션(Probe Station), MEMS(Micro │ │ │ │Electro Mechanial System) 기술 기반의 프로브카드 │ │ │ │를 제조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │서. AI 컴퓨팅 │다음의 요건을 모두 충족하는 고성능 AI 가속기용 │ │ │을 위한 차 │CCL(Copper Clad Laminate)의 제조를 위한 프리프레그 │ │ │세대 │(Pre-preg) 설비(분말 원재료 분산 장치, 이물 필터링 │ │ │MCM(Multi-C │장치, 이물 검출 장치, 두께 측정 장치 등) 및 씬코어 │ │ │hip Module) │(Thin-core) 설비(자성 이물 검출 장치 등) │ │ │의 설계ㆍ제 │ 1) 고속 신호전송을 위한 저손실 특성(Ultra Low │ │ │조 및 관련 │Loss) Df 0.002 미만 │ │ │신소재ㆍ부 │ 2) 고밀도 전력 처리 및 효과적 열분산을 위한 열신 │ │ │품 개발 기 │뢰성 평가(Thermal Cycling Test) 기준 －55℃ ~ │ │ │술 │160℃ / 500 cycles 이상 │ │ │ │ 3) 대규모 데이터 전송 및 전력 분배를 위한 18층 │ │ │ │이상의 PCB 구조 │ │ │ │ 4) 반도체 및 부품 실장 안정성 확보를 위한 열팽창 │ │ │ │계수(CTE) 1.5% 이하 │ ├────────┼────────┼──────────────────────────┤ │2. 이차전지 │가. 고에너지밀 │전기차, 에너지저장장치 등에 사용되는 이차전지 팩 │ │ │도 이차전지 │의 중량당 에너지밀도를 160Wh/kg 이상으로 구현하기 │ │ │팩 제조기술 │위한 모듈 및 팩 제조 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │나. 고성능 리 │이차전지 셀을 기준으로 중량당 에너지밀도가 │ │ │튬이차전지 │265Wh/kg 이상 또는 1시간 기준 방전출력 대비 6배 이 │ │ │부품ㆍ소재 │상의 고출력(6C-rate 이상) 또는 충방전 1,000회 이상 │ │ │ㆍ셀 및 모 │의 장수명을 충족하는 고성능 리튬이차전지에 사용되 │ │ │듈 제조 기 │는 부품ㆍ소재ㆍ셀 및 모듈 제조 시설 │ │ │술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │다. 사용후 배 │수명이 종료(초기용량 대비 80% 이하)된 전기동력 자 │ │ │터리 평가 │동차 배터리를 검사ㆍ분해ㆍ평가하는 시설 │ │ │및 선별 기 │ │ │ │술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │라. 사용후배터 │수명이 종료된 사용후배터리를 친환경적으로 처리하 │ │ │리 재활용 │고, 리튬, 니켈, 코발트, 구리 등 재자원화가 가능한 │ │ │기술 │유가금속을 회수하는 시설 (리튬 35% 이상, 니켈/코 │ │ │ │발트 90% 이상 회수) │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │마. 차세대 리 │중량당 방전용량이 600mAh/g 이상인 고성능 전극 또 │ │ │튬이차전지 │는 고체전해질을 기반으로 하는 차세대 리튬이차전지 │ │ │부품ㆍ소재 │에 사용되는 부품ㆍ소재ㆍ셀 및 모듈 제조시설 │ │ │ㆍ셀 및 모 │ │ │ │듈 제조 기 │ │ │ │술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │바. 하이니켈 │니켈 함량이 80% 이상인 고용량 양극재 및 리튬계 원 │ │ │양극재 제조 │자재, 금속전구체 등 양극재 원료와 관련 장비를 제 │ │ │기술 │조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │사. 장수명 음 │충방전 1,000회 이상이 가능한 장수명 음극재 및 음 │ │ │극재 제조기 │극재 제조에 필요한 카본계 또는 금속계의 원료와 이 │ │ │술 │의 제작에 필요한 장비를 제조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │아. 이차전지 │수명특성, 신뢰성, 안전성을 향상시키는 분리막 과 │ │ │분리막 및 │저온특성, 장수명, 안전성을 향상시키는 전해액 및 │ │ │전해액 제조 │이와 관련된 원료ㆍ장비를 제조하는 시설 │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │자. 이차전지 │배터리 장기 사용을 위한 패키징 부품(파우치, 캔, │ │ │부품 제조기 │리드탭)과 고성능 배터리를 위한 전극용 소재부품(도 │ │ │술 │전재, 바인더, 집전체) 및 이와 관련된 원료ㆍ장비를 │ │ │ │제조하는 시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │차. 양극재용 │금속이온 원료로부터 결정화, 정련, 전환 및 정제 기 │ │ │고순도 금속 │술을 활용하여 중간체 및 순도 99% 이상의 양극재용 │ │ │화합물 제조 │금속화합물(수산화리튬, 탄산리튬, 황산니켈, 황산코 │ │ │ㆍ가공기술 │발트, 황산망간)로 제조ㆍ가공하는 시설 │ ├────────┼────────┼──────────────────────────┤ │3. 백신 │가. 방어 항원 │각종 질환을 치료하거나(치료용 백신) 예방하기 위해 │ │ │등 스크리닝 │(예방용 백신) 면역기전을 이용하여 인체질환을 방어 │ │ │및 제조기술 │하는 물질(항원, 핵산, 바이러스벡터 등)을 스크리닝 │ │ │ │하고 제조하는 시설 및 이를 적용한 백신을 제조하는 │ │ │ │시설 │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │나. 원료 및 원 │백신 개발ㆍ제조에 필요한 원료 및 원부자재(필터, │ │ │부자재 등 │레진, 버퍼, 배양배지 등) 또는 백신의 효능을 증가 │ │ │개발ㆍ제조 │시키는 물질(면역보조제)을 제조하는 시설 │ │ │기술 │ │ │ ├────────┼──────────────────────────┤ │ │다. 생산장비 │백신 및 백신 원료ㆍ원부자재(필터, 레진, 버퍼, 배 │ │ │개발ㆍ제조 │양배지 등) 생산에 필요한 장비를 제조하는 시설 │ │ │기술 │ │ ├────────┼────────┼──────────────────────────┤ │4. 디스플레이 │가. AMOLED 패 │기판(유리, 플렉시블, 스트레처블) 위에 저온폴리실 │ │ │널 설계ㆍ제 │리콘산화물(LTPO)ㆍ저온폴리실리콘(LTPS)ㆍ산화물 │ │ │조ㆍ공정ㆍ │(Oxide) TFT를 형성한 백플레인 또는 실리콘 │ │ │모듈ㆍ구동 │(Silicon)에 구동소자를 형성한 웨이퍼에 발광특성을 │ │ │기술 │가진 유기물을 진공 증발 증착 또는 프린팅 방식으로 │ │ │ │형성하는 FHD 이상의 고화질 또는 고성능(고휘도, 저 │ (이하 생략 — 전체 별표는 법제처 원문 참조)